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BD546B	文件：88.61 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
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BD546B	文件：132.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BD546C	文件：104.75 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD545Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD546C	文件：196.4 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD546C	文件：132.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=-15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-40V(Min)-BD546;-60V(Min)-BD546A-80V(Min)-BD546B;-100V(Min)-BD546C •ComplementtoTypeBD545/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplication	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BD-A546RD	文件：250.44 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaAsonGaAssubstrate	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步来特电器宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
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详细参数

型号：
BC546TF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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