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BD546B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BD546B
厂商型号

BD546B

参数属性

BD546B 封装/外壳为TO-218-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 15A SOT93

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

封装外壳

TO-218-3

文件大小

132.19 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 19:25:00

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BD546B规格书详情

DESCRIPTION

• Collector Current -IC= -15A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -40V(Min)- BD546; -60V(Min)- BD546A -80V(Min)- BD546B; -100V(Min)- BD546C

• Complement to Type BD545/A/B/C

APPLICATIONS

• Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    BD546B-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 2A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 10A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 15A SOT93

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