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BC546BTA	文件：301.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BC546B；Package：TO-923L；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier • High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V • Low-Noise: BC549, BC550 • Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560 文件：301.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BC546B	文件：47.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；NPN general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC556 and BC557. 文件：47.96 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC546B	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors General description NPN general-purpose transistors in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ General-purpose transistors ■ SMD plastic packages ■ Two different gain selections Applications ■ General-purpose switching and amplification 文件：404.87 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BC546B	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	丝印：C546B；Package：SOT-54；65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：404.87 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
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详细参数

型号：
BC546B
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/450
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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