BC546数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BC546 |
参数属性 | BC546 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3 |
功能描述 | Transistor NPN Silicon Plastic |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 18:56:00 |
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BC546规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.
特性 Features
• Pb-Free Package is Available*
应用 Application
• ESD Protection
• Polarity Reversal Protection
• Data Line Protection
• Inductive Load Protection
• Steering Logic
简介
BC546属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC546晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BC546
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:Linear Switching Medium Power
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:0.1
- VCEO Min (V)
:65
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.7
- VBE(on) (V)
:0.55
- hFE Min
:110
- hFE Max
:450
- fT Min (MHz)
:150
- PTM Max (W)
:0.625
- Package Type
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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