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BC53-16PA-Q	文件：250.7 Kbytes Page：13 Pages	Marking：BX；Package：SOT1061；80 V, 1 A PNP medium power transistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS	文件：903.25 Kbytes Page：15 Pages	45V/60V/80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityIC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS	文件：261.36 Kbytes Page：11 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •Twocurrentgainselections •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAS-Q	文件：261.11 Kbytes Page：11 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAST	文件：266.42 Kbytes Page：12 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequirements •LeadlesssmallSMDplasticpackagewithsolderablesidepads •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC53-16PAST-Q	文件：268.81 Kbytes Page：12 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequirements •LeadlesssmallSMDplasticpackagewithsolderablesidepads •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-16	文件：48.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP53-16	文件：42.57 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SuitableforAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCP53-16	文件：44.95 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplements:BCP54,BCP55andBCP56. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V) •Mediumpower(max.1.3W). APPLICATIONS •Audio,telephonyandautomotiveapplications •Thickandthin-filmcircuits	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP53-16	文件：140.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54…BCP56(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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