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BC517_V01	文件：621.37 Kbytes Page：6 Pages	NPN Darlington Transistor 文件：621.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517G	文件：71.35 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPN Silicon 文件：71.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517RL1	文件：71.35 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPN Silicon 文件：71.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517RL1G	文件：71.35 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPN Silicon 文件：71.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517ZL1	文件：71.35 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPN Silicon 文件：71.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BC517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC875,MPS-A13-14,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.4
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC517
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 20mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1A TO92

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