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BC440	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：56.45 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
BC440	文件：128.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES 文件：128.91 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC440	文件：87.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PLANAR SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：87.01 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC441	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：56.45 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
BC441	文件：128.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES 文件：128.91 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC441	文件：87.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PLANAR SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：87.01 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC445	文件：128.33 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION BC445 (NPN) and BC446 are silicon planar transistor designed for use as high voltage driver and output transistor. Particularly suitable as power darlington drivers. 文件：128.33 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC4459	文件：586.44 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION The BC4459 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. 文件：586.44 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
BC446	文件：128.33 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION BC445 (NPN) and BC446 are silicon planar transistor designed for use as high voltage driver and output transistor. Particularly suitable as power darlington drivers. 文件：128.33 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC446	文件：60.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：60.42 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@10mA@100mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Type：
PNP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BC447	ON	24+	TO92GP	6000		询价
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更多BC44供应商更新时间2025-10-8 14:31:00

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