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H369	文件：164.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS GeneralPurposeAmplifierApplication.	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HGN-369	文件：387.81 Kbytes Page：2 Pages	IEC60320INLETSOCKETWITHVOLTAGESELECT,FLANGEMOUNT	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
HMC-ALH369	文件：134.85 Kbytes Page：3 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,24-40GHz GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-ALH369	文件：565.86 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HVC369	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO FEATURES •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
HVC369B	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：147.67 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：33.21 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
BC369,112
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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