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HMC338	文件：412.55 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMT338	文件：2.69914 Mbytes Page：10 Pages	HMT330SeriesHumidityandTemperatureTransmitters Features Full0…100RHmeasurement, temperaturerangeupto+180°C (+356°F)dependingonmodel Pressuretoleranceupto100bar dependingonmodel 4thgenerationVaisalaHUMICAPâ sensorforsuperioraccuracyand stability Corrosion-resistantIP65/IP66 housing Excellentperformancei	VAISALAVaisala 维萨拉维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
HN338	文件：343.11 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications??? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
INA338	文件：280.98 Kbytes Page：14 Pages	Wide-Temperature,PrecisionINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA338	文件：830.11 Kbytes Page：19 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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INA338AIDGSR	文件：343.87 Kbytes Page：17 Pages	Wide-Temperature,PrecisionINSTRUMENTATIONAMPLIFIER FEATURES PRECISION LOWOFFSET:100μV(max) LOWOFFSETDRIFT:0.4μV/°C(max) EXCELLENTLONG-TERMSTABILITY VERY-LOW1/fNOISE SMALLSIZE microPACKAGE:MSOP-8,MSOP-10 LOWCOST APPLICATIONS LOW-LEVELTRANSDUCERAMPLIFIERFOR BRIDGES,LOADCELLS,THERMOCOUPLES WIDEDYNAMICRANGESENSOR	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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详细参数

型号：
BC338_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 25V 800mA HFE/63
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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