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BC337-040G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices 文件：146.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC33716	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC33716	文件：27.62 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：27.62 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC337-16	文件：27.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12. See TN3019A for characteristics. 文件：27.96 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC337-16	文件：25.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：25.27 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC337-16	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：82.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-16	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C33716；Package：SOT-54；NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complement: BC327. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. 文件：47.16 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC337-16	文件：140.47 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92(10D3) • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：140.47 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC337-16	文件：150.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 327, BC 328 (PNP) 文件：150.8 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC337-16	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage VCBO: BC337 50 V BC338 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.82 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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技术参数

package_carrier：
NULL
package_name：
TO-92
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (min)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (typ)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (max)：
45
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (min)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (typ)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (max)：
5
Collector to Emitter Saturation Voltage (min)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (typ)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (max)：
0.7
Collector Current (dc) (min)：
0
Collector Current (dc) (typ)：
0
Collector Current (dc) (max)：
0.8
Power Dissipation (min)：
0
Power Dissipation (typ)：
0
Power Dissipation (max)：
1.5
DC Current Gain (min)：
100
DC Current Gain (typ)：
0
DC Current Gain (max)：
630
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC337供应商更新时间2025-10-18 9:30:00

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