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BC32740

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:92.12 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BC32740BU

丝印:BC32740;Package:TO-923L;PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338

文件:230.79 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC32740TA

丝印:BC32740;Package:TO-923L;PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338

文件:230.79 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC32740BU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

BC32740TA

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    BC32740

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BC32740供应商 更新时间2026-10-14 14:30:00