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BC337	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for driver and output stage of audio amplifiers. 文件：215.03 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC337	文件：224.06 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. ♦ These types are also available subdi vided into three groups -16, -25, and -40, according to their DC current 文件：224.06 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BC337	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage VCBO: BC337 50 V BC338 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.82 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC337	文件：140.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR THE BC337, BC338 ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR USE IN AF DRIVER AND OUTPUT STAGES, AS WELL AS FOR UNIVERSAL APPLICATIONS. THE BC337, BC338 ARE COMPLEMENTARY TO THE PNP TYPE BC327, BC328 RESPECTIVELY. 文件：140.01 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC337	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO : BC337 50 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：167.68 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC337.25	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC337_V01	文件：288.81 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC327 / BC328 文件：288.81 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-025G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices 文件：146.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-040G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices 文件：146.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC33716	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages • Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
BC300(-4...-6)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DA87C,
最大耗散功率：
0.85W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.85

技术参数

L Leak (µH) Max：
2
Input Voltage (V)：
220-420
Output Voltage(V)：
200-430
Weight (g)：
350
Power (kW)：
3.5

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