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BC239C	文件：45.68 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Switching and Amplifier Applications • Low Noise: BC239 文件：45.68 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC239C	文件：83.65 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：83.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC239C	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：54.84 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC239C	文件：359.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors TO-92 Plastic Package For Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with T 文件：359.21 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC239C	文件：112.19 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：112.19 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC239C	文件：157.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.35 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: BC237 50V BC238/239 30V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：157.26 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BC239-TA	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Amplifier dissipation NPN Silicon 文件：1.12108 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC239-TA	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Amplifier dissipation NPN Silicon 文件：1.12108 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC239_98	文件：30.72 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 PACKAGE 文件：30.72 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BC239ATA	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 25V 0.1A TO-92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BC239(B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC109,BC173,BC184,BC209,BC384,BC549,BC584,3DG239,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=900
图片代号：
A-23
vtest：
30
htest：
300000000
atest：
0.2
wtest：
0.3

技术参数

Ptot：
0.5
IC：
0.1
VCBO：
30
VCEO：
25
VEBO：
5
hFE_VCE(V)：
5
hFE_IC(mA)：
2
Package Outline：
TO-92
Arrays：
CBE
AEC-Q101 Qualified：
Yes

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