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BD238	文件：75.78 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD235andBD237aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackageintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD236andBD238respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD238	文件：265.99 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD238	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD238	文件：130.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD233/235/237 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD238	文件：1.30158 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD233/BD235/BD237respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD238	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD238	文件：103.54 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD238	文件：908.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD237. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD238	文件：191.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=-0.15A •ComplementtoTypeBD233/235/237 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD238	文件：109.04 Kbytes Page：3 Pages	-80V,PNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD238isaPNPepitaxialplanartransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighDCcurrentgainandhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES HighDCcurrentgain Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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产品属性

产品编号：
BC238TAR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市旺财半导体有限公司	BC238TAR	Fairchild	23+		33500		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BC238TAR	onsemi	25+	TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多BC238TAR供应商更新时间2025-5-29 15:01:00

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