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BC237G	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237-TA	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES AmplifierdissipationNPNSilicon	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC237-TA	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES AmplifierdissipationNPNSilicon	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BD237	文件：38.83 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD234/236/238respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD237	文件：104.24 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforusein5.0to10Wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD237	文件：75.78 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD235andBD237aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackageintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD236andBD238respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：1.17188 Mbytes Page：2 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD237	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BD237	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD237	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
BC237BTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

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