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BC237	文件：83.65 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) AmplifierTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC237	文件：51.11 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:BC307;BC307B. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC237	文件：112.19 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC237	文件：45.68 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC239	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC237	文件：140.73 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC237	文件：228.49 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS THEABOVETYPESARENPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
BC237	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC237	文件：219.56 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforuseindriverstageofaudioamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
BC237	文件：138.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor forswitchingandamplifierapplications Thetransistorissubdividedintothreegroups,A,B,andC,accordingtoitsDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
BC237	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES AmplifierdissipationNPNSilicon	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BC237	文件：157.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.35W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC23750V BC238/23930V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
BC237	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES AmplifierdissipationNPNSilicon	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BC237	文件：359.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS AmplifierTransistors TO-92 PlasticPackage ForLeadFreeParts,DevicePart#willbePrefixedwithT	CDIL CDIL
BC237	文件：115.15 Kbytes Page：2 Pages	Switching and Amplifier Applications NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC239	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BC237	文件：181.8 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
BC237	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVE TRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BC237	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BC237	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BC237	文件：30.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC237	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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晶体管资料

型号：
BC237(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC171,BC182,BC207,BC382,BC547,BC582,3DG237,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=500
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
250000000
atest：
.2
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
BC237
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

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