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BC237	文件：83.65 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：83.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BC237	文件：51.11 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC307; BC307B. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：51.11 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC237	文件：140.73 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) 文件：140.73 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BC237	文件：359.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors TO-92 Plastic Package For Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with T 文件：359.21 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC237	文件：112.19 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：112.19 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC237	文件：219.56 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of audio amplifiers. 文件：219.56 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC237	文件：1.12108 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Amplifier dissipation NPN Silicon 文件：1.12108 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC237	文件：228.49 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS THE ABOVE TYPES ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR USE IN AF SMALL SIGNAL AMPLIFIER STAGES AND DIRECT COUPLED CIRCUITS. 文件：228.49 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BC237(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC171,BC182,BC207,BC382,BC547,BC582,3DG237,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=500
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
250000000
atest：
0.2
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
BC237
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

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