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BFP183R	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto28mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP183R	文件：58.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto28mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto28mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP183T	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFP183TRW	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
BC183C_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC183C_Q供应商更新时间2025-5-16 16:33:00

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