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BC182B	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：60.62 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC182B	文件：118.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：118.63 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC182B	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN) Aplifier Transistors NPN Silicon 文件：111.64 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC182B	文件：246.74 Kbytes Page：2 Pages	Bipolar Transistor Description: •General Purpose NPN Silicon Planar Epitaxial Amplifier Transistors. •This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. 文件：246.74 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BC182B	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier TYansistors NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：85.05 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC182B	文件：27.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. • Sourced from process 10. 文件：27.33 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC182B	文件：207.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：207.73 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BC182BG	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：60.62 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC182BRL1G	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：60.62 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC182B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Box	NJS 新泽西半导体	NJS

产品属性

产品编号：
BC182B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A TO92

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更多BC182B供应商更新时间2026-4-17 18:21:00

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