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BC182	文件：118.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL
BC182	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier TYansistors NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BC182	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN) AplifierTransistorsNPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC182	文件：356.34 Kbytes Page：6 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR(NPN) AMPLIFIERTRANSISTORSNPNSILICON	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC182	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC182	文件：51.83 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC182	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BC182	文件：207.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BC182	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BC182	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC182A	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN) AplifierTransistorsNPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC182A	文件：118.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL
BC182B	文件：111.64 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN) AplifierTransistorsNPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC182B	文件：27.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationat collectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC182B	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC182B	文件：118.63 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL
BC182B	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier TYansistors NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BC182BG	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BC182BRL1G	文件：60.62 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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晶体管资料

型号：
BC182(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC546,3DG130B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=500
图片代号：
A-23
vtest：
60
htest：
150000100
atest：
.2
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
BC182
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A TO92

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更多BC182供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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