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BBS3002	文件：98.92 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –60V, –100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263 Features • ON-resistance RDS(on)1=4.4mΩ (typ.) • 4V drive • Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 文件：98.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BBS3002	文件：281.95 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=4.4mΩ (typ.) • Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) • 4V drive 文件：281.95 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
BBS3002	文件：348.54 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：348.54 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
BBS3002	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ BBS3002 is a P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263. • ON-resistance RDS(on)1 = 4.4mΩ (typ)\n• Input capacitance Ciss = 13200pF(typ)\n• 4V drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BBS3002-DL-1E	文件：98.92 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –60V, –100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263 Features • ON-resistance RDS(on)1=4.4mΩ (typ.) • 4V drive • Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 文件：98.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BBS3002-TL-1E	文件：98.92 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –60V, –100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263 Features • ON-resistance RDS(on)1=4.4mΩ (typ.) • 4V drive • Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 文件：98.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BBS3002_12	文件：348.54 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：348.54 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
100
PD Max (W)：
90
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
9
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
280
Ciss Typ (pF)：
13200
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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