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BD132	文件：71.22 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistor DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplement:BD131. FEATURES •Highcurrent(max.3A) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD132	文件：109.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •ComplementtotypeBD131 •WithTO-126package •Highcurrent(Max:-3A) •Lowvoltage(Max:-45V) APPLICATIONS •Forgeneralpurposepowerapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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BD132	文件：130.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •ComplementtotypeBD131 •WithTO-126package •Highcurrent(Max:-3A) •Lowvoltage(Max:-45V) APPLICATIONS •Forgeneralpurposepowerapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BD132	文件：111.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD132	文件：74.73 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS TheBD132arePNNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Mediumpowerapplications. NPNcomplementsareBD131.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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