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BBL4001

N 沟道,功率 MOSFET,60V,74A,6.1mΩ; • ON-resistance RDS(on)1 = 4.7mΩ (typ)\n• Input capacitance Ciss = 6,900pF(typ)\n• 4V drive\n;

BBL4001 is an N-Channel Power MOSFET, 60V, 74A, 6.1mΩ, TO-220F-3SG.

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BBL4001

General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

BBL4001

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BBL4001

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BBL4001

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

BBL4001-1E

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.6

  • ID Max (A):

    74

  • PD Max (W):

    35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    6.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    18

  • Ciss Typ (pF):

    6900

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
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更多BBL4001供应商 更新时间2025-7-29 16:06:00