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BB814分立半导体产品二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

BB814
厂商型号

BB814

参数属性

BB814 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器);产品描述:DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

功能描述

Silicon Variable Capacitance Diodes
DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

文件大小

408.54 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 0:03:00

BB814规格书详情

Silicon Variable Capacitance Diodes

• For FM radio tuners with extended frequency band

• High tuning ratio at low supply voltage (car radio)

• Monolithic chip (common cathode) for perfect dual diode tracking

• Coded capacitance groups and group matching available

• Pb-free (RoHS compliant) package

BB814属于分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)。英飞凌科技公司制造生产的BB814二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

产品属性

  • 产品编号:

    BB814E6327GR2HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    22.7pF @ 8V,1MHz

  • 电容比条件:

    C2/C8

  • 二极管类型:

    1 对共阴极

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    200 @ 2V,100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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