BB814E6327GR2HTSA1_分立半导体产品二极管-可变电容（变容器可变电抗器）-英飞凌

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厂家型号：
BB814E6327GR2HTSA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品二极管-可变电容（变容器可变电抗器）
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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原厂料号：BB814E6327GR2HTSA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

BB814E6327GR2HTSA1是分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的BB814E6327GR2HTSA1二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

芯片型号：
BB814E6327GR2HTSA1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
资料说明：
DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

产品属性

类型
描述
产品编号：
BB814E6327GR2HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
卷带（TR）
不同 Vr、F 时电容：
22.7pF @ 8V，1MHz
电容比条件：
C2/C8
二极管类型：
1 对共阴极
不同 Vr、F 时 Q 值：
200 @ 2V，100MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

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BB814E6327GR2HTSA1_分立半导体产品 二极管-可变电容（变容器可变电抗器）-英飞凌

BB814E6327GR2HTSA1

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