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厂商型号

BB501M

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

文件大小

300.86 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 22:30:00

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BB501M规格书详情

特性 Features

• Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MHz

• Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MHz

• Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

• Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod)

产品属性

  • 型号:

    BB501M

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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