BB101M中文资料日立数据手册PDF规格书
BB101M规格书详情
特性 Features
• Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
• Low noise characteristics; (NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz)
• Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions.
产品属性
- 型号：
BB101M
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全称：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT143 |
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RENESAS |
原厂封装 |
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ANPEC |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT143 |
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原装正品,假一罚十! |
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RENESAS |
24+ |
SOT143 |
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