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BAW56HDWQ中文资料SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAW56HDWQ

参数属性

BAW56HDWQ 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE FS 100V 200MA SOT363

功能描述

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY
DIODE FS 100V 200MA SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 15:01:00

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BAW56HDWQ规格书详情

描述 Description

Surface mount switching diode array.

特性 Features

Fast Switching Speed
High Reverse Breakdown Voltage

应用 Application

Automotive

简介

BAW56HDWQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAW56HDWQ二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAW56HDWQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Configuration

    :Dual-Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :350 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :100 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :4 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :250 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0.715

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.5 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :80 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :100V@2.5μA

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :1.5 pF

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :0.5

  • Packages

    :SOT363

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