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BAW56DW中文资料switching diode数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAW56DW

参数属性

BAW56DW 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363

功能描述

switching diode
DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:35:00

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BAW56DW规格书详情

简介

BAW56DW属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAW56DW二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAW56DW

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Dual-Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :200 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :75 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :4 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :150 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :2 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :2.5 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :75@2.5μA

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :2 pF

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :2.5μA@75V

  • Packages

    :SOT363

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