BAV756DW中文资料switching diode数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BAV756DW |
| 参数属性 | BAV756DW 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363 |
| 功能描述 | switching diode |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 22:59:00 |
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BAV756DW规格书详情
简介
BAV756DW属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAV756DW二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
：BAV756DW
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Standard
- Configuration
：Quad
- Polarity
：Anode
- Power Rating (mW)
：200 mW
- ESD Diodes (Y|N)
：No Y/N
- Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
：75 V
- Reverse Recovery Time trr (ns)
：4 ns
- Maximum Average Rectifier Current IO (mA)
：150 mA
- Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)
：2 A
- Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)
：1 mA
- Maximum ReverseCurrent IR (µA)
：2.5 µA
- Maximum Reverse Current IR @ VR (V)
：75 V
- V(BR)R (V) Min (µA)
：75@2.5μA
- TotalCapacitance CT (pF)
：2 pF
- VF(V) Max @ IF=1.0mA
：0.7
- VF(V) Max @ IF=10mA
：0.82
- VF(V) Max @ IF=100mA
：1.2
- IR(nA) Max @ VR=5V
：10
- IR(µA) Max @ VR=30V
：0.1
- IR(uA) Max @ VR=80V
：2.5μA@75V
- Packages
：SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEFAN/科范微 |
24+ |
NA/ |
10 |
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DIODES(美台) |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT363 |
18 |
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21+ |
SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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Diodes |
24+ |
SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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NA |
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询价 |
