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BAV21HWFQ中文资料SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAV21HWFQ

参数属性

BAV21HWFQ 封装/外壳为SOD-123F;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:HIVOLT SWITCHING DIODE BVR \u003e 100

功能描述

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
HIVOLT SWITCHING DIODE BVR \u003e 100

封装外壳

SOD-123F

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 9:31:00

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BAV21HWFQ规格书详情

简介

BAV21HWFQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAV21HWFQ二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAV21HWFQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Configuration

    :Single

  • Polarity

    :Cathode Bar; Anode

  • Power Rating (mW)

    :375 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :250 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :50 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :200 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :9 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :200 mA

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :200 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :250

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :5 pF

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • Packages

    :SOD123F

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