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BAV21HWF中文资料SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAV21HWF

参数属性

BAV21HWF 封装/外壳为SOD-123F;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:HIVOLT SWITCHING DIODE BVR \u003e 100

功能描述

SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DIODE
HIVOLT SWITCHING DIODE BVR \u003e 100

封装外壳

SOD-123F

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 8:18:00

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BAV21HWF规格书详情

描述 Description

The BAV21HWF is a 250V, 100nA and 50ns switching diode that is optimized for high reverse breakdown voltage.

特性 Features

High Reverse Breakdown Voltage
Flat Leadframe Design for Improved Thermal Transfer
High Conductance

应用 Application

Mobile phones
Portable and Consumer Electronics
LCD-TV
Smartphones
Motor Control
Power Supplies
Notebooks
Monitors

简介

BAV21HWF属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAV21HWF二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAV21HWF

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Single

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :375 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :250 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :50 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :200 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :9 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :1

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.1 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :200 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :250

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.715

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :100nA@250V

  • Packages

    :SOD123F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
2021/2022+
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