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BAV199WST	文件：1.94958 Mbytes Page：15 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodeArray	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BAV199WT	文件：426.49 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSwitchingDiode Features •LowCurrentLeakage •ForwardCurrent:IF=160mA. •SmallOutlineSurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:K52 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •H	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAV199WTQ	文件：759.17 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BB199	文件：201.4 Kbytes Page：8 Pages	VariablecapacitancediodeforVCOandVCXOSmallplasticSMDpackage	ETC	ETC
BB199	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	ETC	ETC
BCR199	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR199F	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR199T	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF199	文件：50.36 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALRFTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BF199	文件：144.72 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor RFTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Dual-Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
200 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
160 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
1.1
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
85
TotalCapacitance CT (pF)：
1.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
5nA@75V
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BAV199DWQ-7-F	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	BAV199DWQ-7-F	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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