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BAV116T中文资料ULTRA LOW LEAKAGE SURFACE MOUNT DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAV116T

参数属性

BAV116T 封装/外壳为SC-79,SOD-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 100MA SOD523

功能描述

ULTRA LOW LEAKAGE SURFACE MOUNT DIODE
DIODE GEN PURP 85V 100MA SOD523

封装外壳

SC-79,SOD-523

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 21:55:00

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BAV116T规格书详情

描述 Description

Ultra-low leakage surface mount diode.

特性 Features

Ultra Low Leakage Current (5nA @ VR = 75V)
Small Surface Mount Package (1.6x0.8x0.6mm)

应用 Application

Mobile Phones
Portable and Consumer Electronics

简介

BAV116T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAV116T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAV116T

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Anode

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :280 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :85 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :100 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0.9

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.005 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :85

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :1.2 pF

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :5nA@75V

  • Packages

    :SOD523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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