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BAV101	文件：248.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES SILICONEPITAXIALPLANARDIODES HighVoltageGeneralPurposeDiodes	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAV101	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODES FEATURES: •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.50V,100V,150Vand200Vrespectively •Repetitivepeakreversevoltage:max.60V,120V,200Vand250Vrespectively •Repetitivepeakforwardcurrent:max.625mA. •Pb/RoH	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BAV101	文件：338.89 Kbytes Page：3 Pages	HIGH SPEED SILICON DIODES HermeticallySealed,GlassSiliconDiodes IntendedforSwitchingandGeneralPurposesinIndustrialEquipmente.g.Oscilloscopes,DigitalVoltmetersandVideoOutputStagesinColourTelevision	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BAV101	文件：144.13 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Diodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Forgeneralpurpose ♦Thesediodesarealsoavailableinother casestylesincluding:theDO-35casewith thetypedesignationsBAV19toBAV21,theSOD-123 casewiththetypedesignationsBAV19WtoBAV21W, andtheSOT-23casewiththe	GE GE Industrial Company	GE
BAV101	文件：33.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODES FEATURES: •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuousreversevoltage:max.50V,100V,150Vand200Vrespectively •Repetitivepeakreversevoltage:max.60V,120V,200Vand250Vrespectively •Repetitivepeakforwardcurrent:max.625mA. •Pb/RoH	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
BAV101	文件：394.3 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING DIODE Features ·FastSwitchingSpeed ·SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ·ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
BAV101	文件：85.07 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV101	文件：627.742 Kbytes Page：3 Pages	100V Schottky diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BAV101	文件：627.742 Kbytes Page：3 Pages	100V Detection switch tube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BAV101	文件：627.742 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
BAV101
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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