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BAT82	文件：27.6 Kbytes Page：5 Pages	Schottky barrier diodes DESCRIPTION Planar Schottky barrier diode with an integrated protection ring against static discharges, encapsulated in a hermetically-sealed subminiature SOD68 (DO-34) package. The diode is suitable for mounting on a 2 E (5.08 mm) pitch. FEATURES • Low forward voltage • High breakdo 文件：27.6 Kbytes 页数：5 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BAT82	文件：36.44 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES FEATURES : • Low forward voltage • High breakdown voltage • Guard ring protected • Hermetically-sealed leaded glass package • Low diode capacitance. • Pb / RoHS Free 文件：36.44 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
BAT82	文件：39.23 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diodes Schottky Barrier Diodes 文件：39.23 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BAT82	文件：307.482 Kbytes Page：2 Pages	50V Schottky diode 文件：307.482 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BAT82	文件：213.02 Kbytes Page：2 Pages	30mA Axial Leaded Schottky Barrier Diodes 文件：213.02 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
BAT82S	文件：116.24 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diodes Features • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications • Genera 文件：116.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAT82S	文件：39.25 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes Features • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications • Genera 文件：39.25 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAT82S	文件：80.27 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal Schottky Diode FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • 文件：80.27 Kbytes 页数：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAT82S-TAP	文件：116.24 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diodes Features • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications • Genera 文件：116.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BAT82S-TR	文件：116.24 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diodes Features • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications • Genera 文件：116.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

AEC-Q101Qualified：
_
IF(A）：
0.03
VRRM(V)：
50
VRMS(V)：
_
VDC(V)：
50
IFSM(A)：
0.5
VF(v)：
0.41
TRR(NS)：
_

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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