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BAT721S-Q_V01	文件：194.05 Kbytes Page：8 Pages	40 V, 200 mA Schottky barrier dual diode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdualdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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BAT721S-Q_V01

文件：194.05 Kbytes

Page：8 Pages

40 V, 200 mA Schottky barrier dual diode

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdualdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and

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更多BAT721S-Q_V01供应商更新时间2025-5-24 9:31:00

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