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BAT721-Q	文件：191.07 Kbytes Page：8 Pages	Marking：L7；Package：SOT23；40 V, 200 mA Schottky barrier diode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina SOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecom	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT721S	文件：48.29 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Ultrahighswitchingspeed •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •SmallplasticSMDpackage. APPLICATIONS •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT721S	文件：102.64 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIER(DOUBLE)DIODES FEATURES •Ultrahighswitchingspeed •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •SmallplasticSMDpackage •Ultrahigh-speedswitching •Voltageclamping •Protectioncircuits •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAT721S	文件：82.44 Kbytes Page：11 Pages	PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection.EncapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT721S	文件：193.34 Kbytes Page：8 Pages	40V,200mASchottkybarrierdualdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdualdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •AEC-Q101qualified 2.1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT721S	文件：655.68 Kbytes Page：11 Pages	Schottkybarrierdiodesinsmallpackages Features Lowforwardvoltage SmallSMDplasticpackages *Lowcapacitance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT721S	文件：224.29 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIER(DOUBLE)DIODES FEATURES Ultrahighswitchingspeed Lowforwardvoltage Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Ultrahigh-speedswitching Voltageclamping Protectioncircuits LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std.. HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAT721S-Q	文件：192.87 Kbytes Page：8 Pages	40V,200mASchottkybarrierdualdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdualdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT721S-Q	文件：194.05 Kbytes Page：8 Pages	40V,200mASchottkybarrierdualdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdualdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT721X	文件：141.14 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES DESCRIPTION TheUTCBAT721Xareschottkybarrierdiodes,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithlowforwardvoltagedropandultrahighswitchingspeed,etc. TheUTCBAT721Xissuitableforapplicationssuchasultrahigh-speedswitching,protectioncircuitsandvoltageclam	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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更多BAT721-Q供应商更新时间2025-7-18 9:30:00

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