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BAT64-06-HF	文件：1.03072 Mbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-06	文件：37.95 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINdiode ■Features ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-06	文件：678.66 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURES ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAP64-06	文件：87.95 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinaSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06	文件：51.52 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP64-06-HF	文件：1.1892 Mbytes Page：3 Pages	PINDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-06W	文件：63.96 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinaSOT323smallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06W	文件：650.4 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURE ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz APPLICATION ●RFattenuatorsandswitches	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BAP64-06W	文件：517.13 Kbytes Page：3 Pages	Lowdiodecapacitance Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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深圳市安富世纪电子有限公司	BAT64-06L6327	INFINEON	23+	SOT23	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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