Silicon Schottky Diode

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丝印：57s；Package：SOT-143；Silicon Schottky Diode

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RF 混频器和探测器肖特基二极管

这些英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，带有片上集成保护环，用于过压保护。它们的低势垒高度、小正向电压和低结电容使 BAT17-04W 成为频率高达 6 GHz 的混频器和检测器应用的合适选择。 • 低电感 Ls = 1.4 nH（典型值）\n• 行业标准 SOT323-3 封装（2.1 毫米 x 2 毫米 x 0.9 毫米）\n• 无铅、符合 RoHS 标准且无卤素;

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RF 混频器和探测器肖特基二极管

硅肖特基二极管 • 适用于 VHF/UHF 范围内的混频器应用\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;

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