Silicon Schottky Diodes

Silicon Schottky Diodes • Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure

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Infineon

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

• Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101

文件：970.42 Kbytes 页数：16 Pages

Infineon

英飞凌

Silicon Dual Schottky Diode (DBS mixer application to 12 GHz Low noise figure Low barrier type)

Features ● DBS mixer application to 12 GHz ● Low noise figure ● Low barrier type

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SIEMENS

西门子

Silicon Schottky Diodes

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

Infineon

英飞凌

Low barrier type for DBS mixer applications

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Infineon

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

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Infineon

英飞凌

RF 混频器和探测器肖特基二极管

这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 • 低电感 Ls = 2 nH（典型值）\n• 行业标准 SOT143 封装（2.9 毫米 x 2.4 毫米 x 1 毫米）\n• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素;

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Silicon Schottky Diodes

• Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101

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Silicon Schottky Diodes

Silicon Schottky Diodes • Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure

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Silicon Schottky Diodes

• Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101

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