Silicon Schottky Diodes

• Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101

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Infineon

英飞凌

RF 混频器和探测器肖特基二极管

英飞凌射频肖特基二极管是一种硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、小正向电压二极管和低结电容使 BAT 15 - 02 LRH 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

Infineon

英飞凌

Single silicon RF Schottky diode

文件：350.73 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

Silicon Schottky Diodes • Low barrier type for DBS mixer applications up to 12 GHz, phase detectors and modulators • Low noise figure

文件：525.87 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

One-Phase Si-Bridge Rectifiers

文件：195.42 Kbytes 页数：2 Pages

Semikron

赛米控丹佛斯