Silicon Schottky Diodes

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

Low barrier type for DBS mixer applications

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

Silicon Schottky Diodes

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

Low barrier type for DBS mixer applications

文件：1.1451 Mbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

RF 混频器和探测器肖特基二极管

• Low inductance Ls = 0.4 nH (typical)\n • Low capacitance C = 0.2 pF (typical) at 1 MHz\n • TSLP-2-19 package (1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm) with a 0402 footprint\n • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free\n  ;

Infineon

英飞凌

RF 混频器和探测器肖特基二极管

这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

Infineon

英飞凌