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BASH21LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：HIGH VOLT DIODE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBAS21LT1	文件：65.06 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode FETURE ●Pb-FreePackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBAS21LT1G	文件：65.06 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode FETURE ●Pb-FreePackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SBAS21LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS21LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS21LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BASH21LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
HIGH VOLT DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BASH21LT1G	onsemi(安森美)	24+	SOT233	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	BASH21LT1G	ON	24+	SOT-23 (TO-236)	25000	ON全系列可订货	询价
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更多BASH21LT1G供应商更新时间2025-5-29 23:00:00

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