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BAS70-06-CAR	文件：250.87 Kbytes Page：3 Pages	Marking：76；Package：SOT-23；SWITCHING DIODE FEATURES Lowturn-onvoltage Fastswitching Alsoavailableinleadfreeversion -CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesite andcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAP capable.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BAS70-06E	文件：179.87 Kbytes Page：2 Pages	SMDSmallSignalSchottkyDiodes	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BAS70-06FILM	文件：183.8 Kbytes Page：14 Pages	Lowcapacitance,lowseriesinductanceandresistanceSchottkydiodes Description TheBAS70seriesuses70VSchottkybarrierdiodespackagedinSOD-123,SOD-323,SOD-523,SOT-23,SOT-323,SOT-323-6LorSOT-666.ThesediodesarespeciallysuitedforsignaldetectionandtemperaturecompensationinRFapplications. Features ■Verylowconductionlosses ■Neg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-06-G	文件：82.82 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes FEATURES •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualifiedavailable(partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06-G	文件：91.86 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,SingleandDual FEATURES •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltage andfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunction guardringagainstexcessivevoltage,suchas electrostaticdischarges •AEC-Q101qualifiedavailable (partnumberonrequest) •BaseP/N-G3-green,commercialgrade	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-06-HF	文件：488.6 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features -MoldingcompoundmeetsUL94V-0 flammabilityrating. -Lowforwardvoltage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS70-06Q	文件：267.86 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BAS70-06-Q	文件：198.42 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andreco	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS70-06S	文件：46.93 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiodeArray(General-purposediodeforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiodeArray •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AvailablewithCECCqualityassessment	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-06T	文件：604.08 Kbytes Page：3 Pages	150mWatt,70VoltSchottkyBarrierDiode Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LowturnonVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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