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BAS70-04-V	文件：78.6 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04-V	文件：137.14 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04-V	文件：156.54 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual Features •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04W	文件：137.22 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-04W	文件：50.45 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION SchottkybarrierdiodesencapsulatedeitherinSOT-323orSOD-323smallSMDpackages. Singleanddoublediodeswithdifferentpiningareavailable. FEATURESANDBENEFITS ■VERYSMALLCONDUCTIONLOSSES ■NEGLIGIBLESWITCHINGLOSSES ■LOWFORWARDVOLTAGEDROP ■SURFACEMOUNTDEVIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-04W	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-04W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-04W	文件：172.73 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectionandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-04W	文件：217.37 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes FEATURES •LowTurn-onvoltage •LowForwardVoltage-0.75V(Max)@IF=10mA •VeryLowCapacitance-LessThan2.0pF@0V Forhighspeedswitchingapplication,circuitprotection	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-04W	文件：46.41 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features •Lowforwardvoltage •Highbreakdownvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowcapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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