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BAS70-04-Q	文件：198.15 Kbytes Page：8 Pages	丝印：74；Package：SOT23；General-purpose dual Schottky diode 1. General description General-purpose dual Schottky diode in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High switching speed • Low leakage current • High breakdown voltage • Low capacitance • Qualified according to AEC-Q101 and reco 文件：198.15 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS70-04-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	General-purpose dual Schottky diode General-purpose dual Schottky diode in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • High switching speed\n• Low leakage current\n• High breakdown voltage\n• Low capacitance\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications;	Nexperia 安世	Nexperia
BAS70-04S	文件：45.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Schottky Diode Array (General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping) Silicon Schottky Diode Array • General-purpose diode for high-speed switching • Circuit protection • Voltage clamping • High-level detecting and mixing 文件：45.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAS70-04S	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	Silicon Schottky Diode Silicon Schottky Diode • General-purpose diode for high-speed switching • Circuit protection • Voltage clamping • High-level detecting and mixing 文件：553.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAS70-04S	文件：271.56 Kbytes Page：23 Pages	Silicon Schottky Diode 文件：271.56 Kbytes 页数：23 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
VR [max] (V)：
70
IF [max] (A)：
0.07
Nr of functions：
dual
Configuration：
common anode
VF [max] (mV)：
750@IF=10mA
Cd [max] (pF)：
2
IR [max] (µA)：
0.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
亚泰电子科技有限公司	BAS70-04-QR	NEXPERIA	22+	SMD	33000		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BAS70-04-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多BAS70-04-Q供应商更新时间2025-12-12 8:01:00

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