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BAS40-06W	文件：193.88 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS40-06W	文件：170.2 Kbytes Page：15 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-06W	文件：136.46 Kbytes Page：21 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS40-06W	文件：506.85 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-06W	文件：141.07 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectingandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS40-06W	文件：52.5 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT323verysmallplasticSMDpackage.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowdiodecapacitance. APPLICATIONS •U	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS40-06W	文件：990.3 Kbytes Page：15 Pages	General-purposediodeforhigh-speedswitching SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-06W	文件：610 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance 3.Applications •Ultrahigh-speedswitching •V	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS40-06W-Q	文件：186.92 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedfo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS40-06WTQ	文件：966.33 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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