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BAS40-05V	文件：185.23 Kbytes Page：8 Pages	General-purposequadrupleSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposequadrupleSchottkydiode,encapsulatedinaSOT666ultrasmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance 3.Applicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BAS40-05-V	文件：78.44 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS40-05-V	文件：156.3 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes,Single&Dual Features •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BAS40-05W	文件：506.85 Kbytes Page：8 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BAS40-05W	文件：193.88 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BAS40-05W	文件：141.07 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectingandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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