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DMP3007SCG	文件：441.5 Kbytes Page：7 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP3007SCG-TP	文件：2.05948 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURES ®Vos=30V1o=-50 Rosco8.0mQ@Ves=-10Vtyp Reson18m0@Vcs=-45Vtyp	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMP3007SFG	文件：479.78 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP3007SPS	文件：537.3 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EPC3007	文件：43.05 Kbytes Page：1 Pages	FlybackTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EPZ3007G	文件：40.06 Kbytes Page：1 Pages	PowerChoke	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
F3007S	文件：424.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •ThunderFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •100%RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FJX3007R	文件：43.33 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3007R	文件：170.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistorwithBiasResistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3007R	文件：258.85 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
BAS3007A-RPP
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
DIODE SCHOTTKY ARRAY 30V SOT143
功能描述：
DIODE, SCHOTTKY, ARRAY, 30V, SOT143
功能描述：
SCHOTTKY DIODE ARRAY; Diode
Type：
Schottky; Diode
Configuration：
Bridge; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
21V; Forward Current
If(AV)：
900mA; Forward Voltage VF
Max：
400mV; Forward Surge Current Ifsm
Max：
5A; Diode Case
Style：
SOT-143 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Schottky Diode Bridge Array 30V SOT143

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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