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BAS21TH数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

BAS21TH

参数属性

BAS21TH 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GP 200V 200MA TO236AB

功能描述

High-voltage switching diode

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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BAS21TH规格书详情

描述 Description

High-voltage switching diode, encapsulated in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

• Switching speed max. 50 ns
• Reverse voltage VR ≤ 200 V
• Repetitive peak reverse voltage VRRM ≤ 250 V
• Small SMD plastic package
• High-temperature applications up to 175 °C
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-speed switching
• General-purpose switching

技术参数

  • 产品编号:

    BAS21THVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, BAS16

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GP 200V 200MA TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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